统计显示，电脑DRAM（DDR4 8Gb）平均现货价格为3.85美元，同比上涨3.5%，较去年11月创下的同年最低价（3.168美元）上涨约0.6美元。据了解，代理店的现货价格是反映半导体行业的先行指标，通常会在4至6个月以后反映在固定交易价格中，由此今后DRAM价格上涨可能性较大。
业界此前预测认为，自去年3月DRAM价格触顶达到最高点（5.3美元）后，其价格将长期呈下滑趋势，到今年上半年为止持续疲软。不过近来有分析认为，由于服务器、电脑等方面需求增加，企业库存减少等现象持续，DRAM市场较预期更快恢复。在此背景下，去年发表题为《存储半导体寒冬到来》报告书的摩根斯坦利也对预测进行调整，本月7日公布的报告书中积极评价称，去年第四季度半导体业况恶化情况不及预期，预计价格周期将缩短。
DARM供应方面情况也较此前有所变化。存储半导体一直以来处于供应过剩的状态，但随着位于中国西安的生产线中断及疫情迅速扩散等情况的出现，购买半导体产品的顾客心理迅速改善。同时，由于不确定性增加，供应企业大幅缩减新增生产线计划，预计供给困难的问题将进一步扩大。KIWOOM证券研究员朴有悦（音）表示，第二和第三季度为DRAM旺季，供应不足所导致的价格上涨压力也会越来越大。
此外，闪存芯片（NAND）市场也释放积极信号。DRAMeXchange数据显示，本月11日NAND（以MLC 128Gb为基准）现货价格为7.64美元，环比上涨1.8%。此前业内预测NAND价格在今年上半年会一直处于下滑趋势，但近期出现小幅反弹迹象。
部分企业供应紧张也进一步助推相关产品价格上涨。据了解，西部数据与日本铠侠共同运营的生产厂日前发生原材料污染事故。由于西部数据和铠侠在全球NAND市场份额排名分列第2位（19.3%）和第4位（13.2%），西部数据方面虽未具体就此次事件做出说明，但据推测，本次事故造成约6.5艾字节（EB）规模的NAND产品减产。市场调查机构TrendForce此前预测认为NAND产品价格会在第二季度下降5%至10%，但此次事故发生后，预计相关产品价格会上涨5%至10%。
半导体业界预测认为，三星电子和SK海力士将因DRAM和NAND价格上涨而受益。韩国进出口银行海外经济研究所推测认为，三星电子、SK海力士等韩企在全球DRAM市场所占份额达到71%，在NAND市场所占份额为45%。特别是在NAND生产紧缺的背景下，韩国企业的业绩有望进一步增长。
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