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随着人工智能（AI）领域需求的急剧攀升，高带宽存储器（HBM）与非HBM产品间的两极分化趋势日益显著。
通用存储器市场的复苏势头较预期缓慢，预计HBM的高度依赖将成为行业新常态。据分析，存储器行业的两大领军企业三星电子与SK海力士的业绩表现，将在很大程度上取决于其在HBM领域的布局。
业界于13日透露，SK海力士今年第三季度累计营业利润为15.3845万亿韩元（约合人民币791.7亿元），较业界排名首位的三星电子DS（设备解决方案）部门（12.3万亿韩元）高出约3万亿韩元。
SK海力士的卓越表现主要归功于HBM业务的强劲驱动。近期，通用动态随机存取存储器（DRAM）市场受复苏乏力、库存积压及中国DRAM产能扩张等多重因素影响而陷入停滞，而HBM的亮眼表现则有效对冲了通用存储器市场的低迷态势。SK海力士透露，今年第三季度整体DRAM销售比重中，HBM占比已超过30%，预计第四季度将达到40%。
短期内，HBM与非HBM市场的两极分化态势预计将持续。市场研究机构集邦咨询（TrendForce）将今年第四季度（10至12月）DRAM固定交易价格变动率预期值从原先的“平稳”调整为“下调3%至8%”。并预测称，明年DRAM价格将持续走低，通用DRAM市场的低迷状况或将进一步加剧。
在此背景下，HBM被视为决定企业业绩的关键因素。三星电子自今年第三季度起正式步入高附加值HBM3E的量产阶段，HBM销售额较前一季度激增70%以上。三星电子正在量产的12层与8层HBM3E能否成功供应给英伟达等主要客户，将成为其业绩提升的重要决定因素。三星电子表示，尖端AI存储芯片HBM3E的销量将在第四季度实现显著增长，HBM整体收入中的占比将从10%提升至50%，同时，在关键大客户的质量测试方面也已取得积极进展。
三星电子与SK海力士之间的竞争预计将更为激烈。三星正为多家主要客户的下一代AI图形处理装置（GPU）开发优化升级版HBM3E内存，并针对新一代HBM4内存，为多个客户进行定制化开发。而SK海力士在成功量产12层与8层HBM3E后，计划于明年上半年推出16层产品，并着手于明年实现HBM4的量产，以保持在市场竞争中的领先地位。
